A revision of the central part of the Cr–Ge phase diagram

Jandl, Isabella; Richter, Klaus W.

doi:10.1016/j.jallcom.2010.03.200

Cited by 7 publications

(3 citation statements)

References 8 publications

(13 reference statements)

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Згідно з рентгенофазовим аналізом зразок відповідного складу містив дві бінарні фази у рівновазі: Cr3Ge і Cr11Ge8. Відповідно до літературних відомостей [15], сполука Cr5Ge3 існує в інтервалі температур 1 535 К−1 269 К. [3], так і для представників цього структурного типу з іншими рідкісноземельними і перехідними металами RM1-xGe2 [19,20].…”

Section: результати досліджень та їх обговоренняunclassified

Y–Cr–Ge ternary system at 1 070 K

Konyk¹,

Romaka²,

Orovčík³

et al. 2019

Visnyk Lviv Univ. Ser. Chem.

View full text Add to dashboard Cite

Методами рентгенофазового, рентгеноструктурного і рентгеноспектрального аналізів досліджено взаємодію компонентів та побудовано ізотермічний переріз діаграми стану потрійної системи Y-Cr-Ge при 1 070 К у повному концентраційному інтервалі. У системі Y-Cr-Ge за температури відпалу утворюються дві тернарні сполуки: YCr6Ge6 (структурний тип MgFe6Ge6; просторова група P6/mmm; символ Пірсона hP13; a = 5,1692(2), c = 8,2649(9) Å) та YCr0,23Ge2, для якої рентгенівським дифракційним методом порошку проведено уточнення кристалічної структури (структурний тип CeNiSi2; просторова група Cmcm; символ Пірсона oS16; a = 4,12792(6), b = 15,8899(2), c = 4,00530(5) Å; RBragg = 0,0770; Rp = 0,0671). Бінарний германід Cr3Ge (структурний тип Сr3Si) розчиняє до 3 ат. % Y, що підтверджується зміною періодів ґратки: а = 4,6303(1) для Cr3Ge, а = 4,6313(2) Å для зразка складу Y3Cr75Ge22. Результати вимірювання мікротвердості ґерманідів Y3Ge4, Cr3Ge та YCr6Ge6 засвідчили її залежність від складу і кристалічної структури сполуки.Ключові слова: рентгенофазовий і рентгеноструктурний аналізи, енергодисперсійна рентгенівська спектроскопія, ізотермічний переріз, кристалічна структура, мікротвердість.

show abstract

Section: результати досліджень та їх обговоренняunclassified

Y–Cr–Ge ternary system at 1 070 K

Konyk¹,

Romaka²,

Orovčík³

et al. 2019

Visnyk Lviv Univ. Ser. Chem.

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Thermodynamic properties of chromium germanide CrGe x , that is, the phase diagram [ 2 ] and Gibb’s energies [ 3 ], were determined. In other works, the crystallographic phases Cr 3 Ge, Cr 5 Ge 3 , Cr 11 Ge 8 , CrGe, and Cr 11 Ge 19 were synthetized using chemical vapor transport [ 4 ].…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Chemical vapor deposition of germanium-rich CrGe_x nanowires

Dřı́nek¹,

Tiagulskyi²,

Yatskiv³

et al. 2021

Beilstein J. Nanotechnol.

View full text Add to dashboard Cite

Chemical vapor deposition was applied to synthetize nanostructured deposits containing several sorts of nanoobjects (i.e., nanoballs, irregular particles, and nanowires). Analytical techniques, that is, high-resolution transmission electron microscopy, scanning electron microscopy, electron dispersive X-ray analysis, selected area electron diffraction, and X-ray photoelectron spectroscopy, showed that unlike nanoballs and particles composed of crystalline germanium, the layer was made of chromium germanide CrGex. The nanowires possessed a complex structure, namely a thin crystalline germanium core and amorphous CrGex coating. The composition of the nanowire coating was [Cr]/[Ge] = 1:(6–7). The resistance of the nanowire–deposit system was estimated to be 2.7 kΩ·cm using an unique vacuum contacting system.

show abstract

“…Alloys formed by Cr and Ge have potential applications in thermoelectric devices 1 and in the electronic industry [2][3][4] due to low thermal conductivity and good adherence to silicon substrates. The Cr-Ge phase diagram 5 has been studied by several researchers [6][7][8][9][10][11] . Liu et al 10 used the CALPHAD method and experimental data to calculate, at room temperature, the enthalpy of formation ∆H for the phases Cr 3 Ge (∆H = −15.33 kJmol −1 ), Cr 5 Ge 3 (∆H = −16.30 kJmol −1 ), Cr 11 Ge 8 (∆H = −16.19 kJmol −1 ), CrGe (∆H = −13.85 kJmol −1 ), and Cr 11 Ge 19 (∆H = −10.16 kJmol −1 ).…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Structural and Photoacoustic Study of Cr11Ge19 Prepared by Mechanical Alloying

et al. 2017

View full text Add to dashboard Cite

A nanostructured Cr 11 Ge 19 phase was produced by mechanical alloying for 15 h. Decomposition occurred for larger milling times, yielding Cr, Ge, Cr 2 O 3 and GeO 2. According to the Cr-Ge phase diagram, the Cr 11 Ge 19 phase is stable up to ≈ 928 o C, but, when submitted to milling, a structural instability causes its decomposition. We studied this structural instability using the coordination numbers and interatomic distances of bulk Cr 11 Ge 19 to simulate the structure factors S CrCr (K), S CrGe (K), and S GeGe (K). The radial distribution functions RDF CrCr (R), RDF CrGe (R) and RDF GeGe (R) were obtained by Fourier transforming the S ij (K) factors, and an important chemical disorder up to ≈7 Å was observed in the RDF CrGe (R) and RDF GeGe (R) functions. This chemical disorder was quantified using Cowley-Warren ij CW a parameter. The thermoelectric properties of the Cr 11 Ge 19 phase were also studied.

show abstract

A revision of the central part of the Cr–Ge phase diagram

Cited by 7 publications

References 8 publications

Y–Cr–Ge ternary system at 1 070 K

Y–Cr–Ge ternary system at 1 070 K

Chemical vapor deposition of germanium-rich CrGe_x nanowires

Structural and Photoacoustic Study of Cr11Ge19 Prepared by Mechanical Alloying

Contact Info

Product

Resources

About

A revision of the central part of the Cr–Ge phase diagram

Cited by 7 publications

References 8 publications

Y–Cr–Ge ternary system at 1 070 K

Y–Cr–Ge ternary system at 1 070 K

Chemical vapor deposition of germanium-rich CrGex nanowires

Structural and Photoacoustic Study of Cr11Ge19 Prepared by Mechanical Alloying

Contact Info

Product

Resources

About

Chemical vapor deposition of germanium-rich CrGe_x nanowires