A new triggering mode in a vertical bi-directional MOS-thyristor device

Évolution de l'intégration en électronique de puissance

“…Ainsi, nous avons proposé une solution technologique permettant la réalisation de ces murs de type P compatible avec des étapes technologiques permettant de réaliser un IGBT [23]. Il est à noter que ces murs P + constituent une brique technologique indispensable au développement de nouvelles fonctionnalités [24]. c) Intégration de fonctions de protection.…”