A method of promoting single crystal yield during melt growth of semiconductors by directional solidification

Su, Ching‐Hua

doi:10.1016/j.jcrysgro.2014.10.020

Cited by 13 publications

(1 citation statement)

References 4 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…Doğrusal katılaştırma yöntemi tek kristal büyütme [2], homojen bileşim elde etme ve saflaştırma [3] gibi yöntemlerde kullanılır. Bu yöntem ticari olarak oksit lazer sistemleri, yarı iletken kristallerin büyütülmesi [4], mekanik ve termal dayanımı yüksek savunma sistemleri [5] ile optik uygulamalarda [6] kullanılmaktadır.…”

Section: Introductionunclassified

Doğrusal Katılaştırılmış Sn-Zn Ötektik Alaşımında Altsoğumanın Hesaplanması

Şahin

2023

Bilecik Şeyh Edebali Üniversitesi Fen Bilimleri Dergisi

View full text Add to dashboard Cite

Sn-8.8Zn (kütlece %) ötektik alaşımı döküm fırını ve vakumlu eritme fırını kullanılarak üretildi. Daha sonra döküm alaşımları sabit sıcaklık gradyentinde (G=4.16 K/mm), farklı katılaştırma hızlarında (V=8.3-166.0 m/s) Bridgman tipi kontrollü doğrusal katılaştırma fırınında yukarı yönlü doğrusal katılaştırıldı. Altsoğuma (T) değerleri; katılaştırma hızı, ötektik mesafe () ve sistem parametreleri (K1 ve K2) kullanılarak Jackson-Hunt modeli ile hesaplandı. Sabit bir sıcaklık gradyentinde (G=4.16 K/mm) katılaştırma hızının 8.3 m/s’den 166.0 m/s’ye artmasıyla, altsoğuma 0.87 K’den 3.89 K değerine arttı. 0.87 K değerindeki minimum altsoğumada çubuksal ötektik mesafe 3.22 m, 3.89 K’de ise ötektik mesafe 0.72 m değerlerinde elde edildi. Sonuçlar literatür ile karşılaştırıldı.

show abstract

Section: Introductionunclassified