A 3.5 GHz 25 W Silicon LDMOS RFIC power amplifier for WiMAX applications

Cassan, C.; Gola, Prashant

doi:10.1109/rfic.2007.380839

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“…La respuesta del demoboard construido se midió también en condiciones Wimax. En [13], el RFIC se probó con una señal Wimax de 7 MHz. Para el presente trabajo se usó una señal de ancho de banda de 10 MHz con una modulación 64 QAM-3/4.…”

Section: Resultsunclassified

Mejoras del proceso de diseño en la industria de transistores de microondas

Rafael-Valdivia

2019

Rev. Fac. Ing.

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Este artículo presenta una técnica para mejorar el proceso de diseño industrial de transistores de microondas, basado en un diseño de experimentos mejorado (DOE) y un modelado electrotérmico (MET) expandido. El diseño de experimentos DOE permitió centrar el diseño a través de variaciones en parámetros específicos, para evitar complejas simulaciones electromagnéticas de acoplamiento mutuo entre los cables dentro del mismo transistor, que generalmente en herramientas CAD convencionales presentan un elevado costo computacional. El modelo electrotérmico mejorado utilizando la técnica de voltajes efectivos posibilitó predecir no solo el autocalentamiento, sino también las impedancias apropiadas para la máxima potencia de salida y la máxima eficiencia del transistor. De esta manera fue posible elegir las condiciones de operación que garantizaran un reducido autocalentamiento, así como las mejores condiciones de potencia, eficiencia y linealidad. Las técnicas presentadas son útiles para la implementación de amplificadores de potencia en los futuros sistemas de comunicación inalámbricos, ya que deben trabajar con potencias elevadas que producen autocalentamiento y con señales de gran ancho de banda. La combinación de ambas técnicas permite la reducción de diseño y tiempo de producción en el ámbito industrial. El diseño de experimento mejorado posibilitó centrar el diseño del transistor para asegurar la obtención de los mejores desempeños del transistor. La caracterización térmica facilitó que el transistor de microondas, implementado en un circuito impreso de potencia, funcionara por debajo de la temperatura máxima permitida, lo que garantiza su vida útil y, en consecuencia, la confiabilidad del sistema de transmisión completo.

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Section: Resultsunclassified

Mejoras del proceso de diseño en la industria de transistores de microondas

Rafael-Valdivia

2019

Rev. Fac. Ing.

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“…LDMOS MMIC drivers [5] and LDMOS Doherty PA's are already starting to appear at WiMax frequencies. To be able to sketch what can be expected with respect to linear efficiency, Fig.…”

Section: Future Trendsmentioning

confidence: 99%

Status and trends of silicon LDMOS base station PA technologies to go beyond 2.5 GHz applications

Rijs

2008

2008 IEEE Radio and Wireless Symposium

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LDMOS technology is the main power amplifier technology used for cellular base stations for frequencies up to 2.14 GHz. With the latest LDMOS technology generations it is however possible, and demonstrated, to use LDMOS for frequencies up to 3.8 GHz. This paper describes the status and trends of LDMOS technology for wireless applications beyond 2.5 GHz.Index Terms -microwave power FET amplifiers , MOSdevices, MOSFET power amplifiers , power amplifiers.

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A CMOS power amplifier using power combination for 3.5GHz mobile WiMAX subscriber applications

Pan

Lim

et al. 2011

2011 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits

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A 3.5 GHz 25 W Silicon LDMOS RFIC power amplifier for WiMAX applications

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Mejoras del proceso de diseño en la industria de transistores de microondas

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