5C3 - GaAs as an electrooptic modulator at 10.6 microns

Yariv, A.; Mead, C. A.; Parker, J. K.

doi:10.1109/jqe.1966.1074037

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“…Conclusion. -Les monocristaux fabriqués et étudiés dans nos Laboratoires satisfont aux critères fondamentaux exigés [7], [18] pour la réalisation de modulateurs optiques : les échantillons obtenus sont de bonne qualité optique, transparents dans le visible depuis 0,48 in jusque dans l'infrarouge (03BB > 16 Il Fig. 6).…”

Section: Résultats Expérimentaux -Une éTudeunclassified

Effet électro-optique dans les cristaux de ZnSe

Baillou¹,

Lemercier²,

Rivaud³

et al. 1973

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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Faculté des Sciences, 40, avenue du Recteur-Pineau, 86022 Poitiers, France (Reçu le 22 novembre 1972) Résumé. 2014 Nous avons préparé par une méthode de Piper et Polich modifiée des mono cristaux cubiques de ZnSe de bonne qualité optique et qui présentent un effet électro-optique linéaire. L'étude expérimentale de cet effet a permis de constater que le coefficient électro-optique r41 du ZnSe varie avec la longueur d'onde (0,5 03BC 03BB 0,6 03BC), mais que par contre l'intensité de la modulation optique semble indépendante de 03BB et ne dépend que du champ électrique appliqué au cristal. Abstract. 2014 Cubic ZnSe crystals were grown by a modified Piper and Polich method. These crystals of good optical quality present a linear electro-optic effect. An experimental study of this effect shows that the electro-optic coefficient r41 for ZnSe varies with the wavelength (0.5 03BC 03BB 0.6 03BC), but the intensity of the optical modulation seems independent of 03BB and only depends on the electric field applied to the crystal.

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Section: Résultats Expérimentaux -Une éTudeunclassified

Effet électro-optique dans les cristaux de ZnSe

Baillou¹,

Lemercier²,

Rivaud³

et al. 1973

Rev. Phys. Appl. (Paris)

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“…Other systems which have been suggested for infrared modulators include absorption by free carriers injected a t p-n junction [ll], change in surface reflection by an external electric field [12], Debye-Sears acoustoelectric diffraction [13], electric field induced birefringence [14], Faraday rotation (see for example [15]) and systems using a modulated air gap between dielectric plates [16]. All these suffer from limited aperture insufficient bandwidth, restricted carrier wavelength, excessive power dissipation, or a combination of these.…”

Section: Infrared Modulationmentioning

confidence: 99%

Infrared Modulation and Energy Band Parameters in Multivalley Semiconductors through Uniaxial Stress Dependence of Free Carrier Contribution to Optical Constants

Walton

1971

Physica Status Solidi (b)

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The influence of uniaxial stress in < l l l ) direction on the free carrier contribution to the optical constants of multivalley semiconductors is considered according to the electron transfer model. Calculations are made of the reaulting change in absorption and shift of the wavelength for minimum reflection. It is shown that these effects may be large and experimental observation of them provides a method of determining the effective mass and relaxation time parameters and their anisotropies. The possibility of constructing infrared modulators based on these phenomena is also examined. Es wird der EinfluB des Druckes in (111)-Richtung auf den Beitrag freier Ladungstriigern zu den optischen Konstanten von Vieltal-Halbleitern entsprechend dem Model1der Elektronenstreuung untersucht. Rechnungen werden fiir die sich ergebenden h d e r u ngen der Absorption und Wellenlange fur minimale Reflexion durchgefiihrt. Es wird gezeigt, daB diese Effekte betriichtlich sein konnen; ihre experimentelle Beobachtung bietet eine Methode, die effektive Masse und Relaxationszeit, sowie ihre Anisotropien zu bestimmen. Die Moglichkeit, Infrarot-Modulatoren herzustellen, die auf diesen Prinzipien beruhen, wird ebenfalls untersucht.

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5.3.2.1 Cubic, (-4)3m (T{d})

Cook¹

Piezooptic and Electrooptic Constants

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5C3 - GaAs as an electrooptic modulator at 10.6 microns

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Effet électro-optique dans les cristaux de ZnSe

Effet électro-optique dans les cristaux de ZnSe

Infrared Modulation and Energy Band Parameters in Multivalley Semiconductors through Uniaxial Stress Dependence of Free Carrier Contribution to Optical Constants

5.3.2.1 Cubic, (-4)3m (T{d})

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