2.148 GHz Surface Acoustic Wave Oscillator

Untersuchungen zum Lumineszenzverhalten des Aluminiumnitrids und der Aufbau einer Kurzzeit-Lumineszenz-Spektroskopie-Apparatur

“…Des weiteren korrespondiert auch der S-Parameter aus Annihilationsexperimenten, welcher sensitiv auf die V Al -Konzentration ist, mit der Intensität dieser Lumineszenz [52,53]. Bei einer durchschnittlichen Rekombinationsenergie von 3.37 (11) eV berichten mehrere Publikationen von einem DAP-Übergang zwischen einem unbekannten flachen Donator und V 2−/3− Al (siehe Tabelle 2.5 ID 19). Alle diese Berichte außer derjenige von Schulz et al [187] beziehen sich direkt oder auch indirekt auf eine Publikation von Nam et al [177].…”

“…Wie schon zuvor in Kapitel 2.1.3 dargestellt, herrscht in der Literatur relative Einigkeit darüber, dass Sauerstoff in AlN als Grundzustand ein DX-Zentrum bildet. Ein Lumineszenzband mit einer durchschnittlichen Energie von 3.29 (11) eV (siehe Tabelle 2.5 ID 20) wird einer Rekombination dieses Defektzustandes mit dem Valenzband zugeschrieben. Jedoch basiert jene Zuordnung lediglich auf frühen theoretischen Untersuchungen, ohne dabei alternative weiter unten aufgeführte komplexere Defektstrukturen mit in Betracht zu ziehen [113,174].…”

“…Aufgrund seiner hohen thermischen Leitfähigkeit (320 Wm −1 K −1 [6,7]) in Verbindung mit seiner gleichzeitigen hohen intrinsischen elektrischen Isolationsfähigkeit (10 11 Ωcm -10 13 Ωcm [8]) und einem zu Silizium sehr ähnlichen thermischen Ausdehnungskoeffizient (2.7 × 10 −6 K −1 bei Raumtemperatur [9]) findet AlN heutzutage eine breite Anwendung als Material für Kühlkörper in Hochleistungselektronik. Außerdem eignet es sich infolge seiner sehr hohen Schallgeschwindigkeiten (v L = 10127 ms −1 und v S = 6333 ms −1 [10]) und piezoelektrischen Eigenschaften zur Nutzung in Baugruppen mit akustischen Bulk-sowie auch Oberflächenwellen als Trägermaterial; insbesondere für Bauelemente, die im Frequenzbereich mehrerer GHz operieren [11,12]. Des weiteren können in rein elektronischen Anwendungen GaN/AlN-Heterostrukturen als eine Basis für high-electron-mobility Transistoren (HEMT) dienen [13,14].…”