Crescimento de diamante CVD em substratos de silício de grande área

Abstract

ResumoRealizaram-se crescimentos de fi lmes de diamante por deposição química de vapor (CVD, do inglês Chemical Vapor Deposition) em substratos de silício (100), de grande área (80 cm²), em um reator de fi lamento quente (HFCVD), com taxas de crescimento superiores a 1,5 μm/h. Foi realizado o crescimento das amostras com diferentes fl uxos gasosos e diferentes porcentagens de metano (CH 4 ) em hidrogênio (H 2 ). As amostras foram caracterizadas por microscopia óptica, eletrônica de varredura e por espectroscopia de espalhamento Raman. Tais análises acusaram a presença de diamante de alta pureza em todas as amostras. Palavras-chave: