Поверхностное Дефектообразование В Моп+-Транзисторе При Облучении Гамма-Лучами С Низкой Мощностью Дозы

Abstract

Проведен анализ двухэтапного процесса поверхностного дефектообразования на границе раздела Si-SiO2 в МОП-транзисторе с n-каналом. Получено, что процесс поверхностного дефектообразования описывается тремя экспоненциальными зависимостями. Представлены качественные модели составляющих процесса поверхностного дефектообразования. The paper analyzes a two-stage process of surface defects formation at Si-SiO2 in a MOS-transistor with n-channel. The process of surface defects formation has been described by three exponential dependences. High-quality models of the process components have been presented.