Новый Метод Формирования Гетеропереходов В a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=- Нитевидных Нанокристаллах

Abstract

Рассматривается процесс образования осевых гетероструктур в нитевидных нанокристаллах на основе модели роста по механизму пар−жидкость−кристалл. Предложен новый способ формирования гетеропереходов в (Аl,Ga)As нитевидных нанокристаллах, с помощью изменения потока мышьяка.

XXI Международный симпозиум Нанофизика и наноэлектроника", Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Нитевидные нанокристаллы GaP/Si (111), синтезированные методом молекулярно-пучковой эпитаксии с переключением гексагональной и кубической фазy -=SUP=-*-=/SUP=-

“…1, а) в обоих местах. По-видимому, образование веток на боковых стенках ННК связано с увеличением объема и дестабилизацией капли в момент переклю-чения потоков, капля может частично съезжать на боковую стенку ННК [18,19]. Косвенно это подтвер-ждается ПЭМ-изображениями (pис.…”