Неоднородное Распределение Легирующей Примеси В a-=sup=-Iii-=/Sup=-B-=sup=-v-=/Sup=- Нитевидных Нанокристаллах

Abstract

Работа посвящена исследованию пространственного распределения концентрации легирующей примеси в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений A III B V , выращиваемых методом молекулярнопучковой эпитаксии. Найдена эволюция функции распределения легирующей примеси в результате решения краевой задачи диффузии. Показано, как в рамках построенной модели возникает неоднородность концентрации примеси, наблюдаемая экспериментально при легировании GaAs нитевидных нанокристаллов бериллием и в некоторых других системах материалов.