Die röntgenamorphen Siliciumverbindungen Si2O3, H2Si2O4, HSiO1.5 und SiO wurden unter Hochdruck‐ und Hochtemperaturbedingungen mit energiedispersiver Röntgenbeugung (EDXD) in situ untersucht. Dazu wurde die Vielstempel‐Hochdruckapparatur MAX‐80 am HASYLAB, DESY Hamburg, verwendet. Bei vorgegebenem Druck von 45 kbar wird durch thermisch induzierte Disproportionierungsreaktionen außer bei SiO stets die Bildung von Coesit beobachtet. Kommerzielles SiO blieb unter den HP/HT‐Bedingungen röntgenamorph, was darauf hindeutet, daß kein Silicium(II)‐oxid im Festkörper vorliegt, sondern bereits ein auf atomarer Ebene disproportioniertes Gemenge aus Silicium und Siliciumdioxid.