The growth and characterization of device quality InP/ Ga1-xinxasyp1-y double heterostructures by atmospheric-pressure MOVPE using trimethylindium

Hydrogen Diffusion and Shallow Acceptor Passivation in p-Type InP

“…They have the following structure 0.55 µm of undoped Ga x in 1 _ x As/4.9 µm of InP:Zn/semi-insulating InP:Fe substrate. The detailed experimental set-up and growth conditions are described elsewhere [10]. The ternary layer has a composition x equal to 0.47 with a good lattice matching to the InP layer (relative lattice mismatch of 5 x 10 -4 to 10-3).…”

Исследование однородности состава по толщине слоев GaInAsP, полученных на подложках InP методом газофазной эпитаксии

“…Большие [11,12]. При температуре эпитаксии этот интервал, вероятно, симметричен относительно нуля, а при понижении температуры сдвигается в сторону отрицательных значений из-за различия в коэффициентах термического расширения GaInAsP и InP.…”

“…При комнатной температуре он будет сдвинут в сторону отрицательных значений на величину ∼ 1 • 10 −3 . Определенный нами интервал рассогласований слоя и подложки −4 • 10 −3 < ( a/a) M ⊥ < 2.5 • 10 −3 , в котором полученные образцы серий A и B имеют удовлетворительную степень кристаллического совершенства, соответствует данным работ [11,12]. Если анализировать свойства эпитаксиальных слоев GaInPAs, близких по составу и выра-щенных при схожих условиях, можно проследить связь между величиной ( a/a) M ⊥ и однородностью содержания элементов V группы по толщине эпитаксиального слоя, что позволяет сделать вывод о влиянии возникающих в процессе роста деформаций кристаллической решетки на встраивание элементов V группы.…”

Люминесцентные свойства выращенных на InP слоев GaInAsP с градиентом состава по толщине

“…Исследования с помощью рентгеновской дифрактометрии проводились на базе трехкристального рентгеновского дифрактометра " ДРОН-2" с использованием симметричных рефлексов типа (004) в CuK α1 -излучении. В том случае, если пик отражения от слоя GaInAsP различался при использовании трехкристальной схемы (выполнялось для образцов № 3−5), в режиме θ/2θ записывались зависимости интенсивности отражений рентгеновского луча от угла его падения θ -кривые дифракционного отражения (КДО [4,5] по данным исследований ФЛ и ям травления для образцов GaInAsP/InP с высоким кристаллическим совершенством. Общее изменение содержания мышьяка на протяженности слоя GaInAsP для образца № 4 составило y = 0.01, ФЛ данного образца была достаточно интенсивной и имела узкий спектр.…”