Differing from the usual treatment of an electron-hole plasma in quasi-thermal equilibrium, where the particle density is kept constant, a plasma is considered with a fixed chemical potential. Such a situation is expected to be realistic for semiconductors with a direct gap in the presence of a strong monochromatic electromagnetic field. The appearance of a bistability in the plasma density is predicted for photon energies in the vicinity of the gap.I m Unterschied ziir ublichen Behandlung von Elektron-Loch-Plasmen im quasi-thermischen Gleichgewicht, bei der die Teilchendichte konstant gehalten wird, wird ein Plasma mit festem chemischen Potential betrachtet. Es wird angenommen, dab eine derartige Situation realistisch ist fur einen Halbleiter mit direkter Bandliicke in Anwesenheit eines starken elektromsgnetischen Feldes. Das Auftreten einer Plasmadichte-Bistabilitat fur Photonenenergien in der Nahe der Bandlucke wird vorausgesagt.