Plasma-sputtering technique is used to deposit the carbon layers with different nanoscale thicknesses on the p-type silicon wafers. The scanning electron-microscope images show the grains' size growth and aggregation in clusters. The electrical properties of the junction behave as a solar cell, and this gives the proof of formation of the carbon nanotubes (CNT). Both the out power and the efficiency of the Si-CNT cells increase with carbonlayer thickness and light intensity.Техніка плазмового напорошення використовується для нанесення вуглецевих шарів різної нанорозмірної товщини на p-типу кремнійові пластини. Зображення сканувального електронного мікроскопа показують зростання розмірів зерен і аґреґацію їх у кластери. Електричні властивості переходу поводяться як сонячний елемент, і це дає доказ утворення вуглецевих нанотрубок (ВНТ). Як вихідна потужність, так і ефективність елементів Si-ВНТ зростають зі збільшенням товщини вуглецевого шару й інтенсивности світла.