The effect of annealing temperature on the electrical characterization of Co/n type GaP Schottky diode

Orak, İkram; Ejderha, Kadir; Sönmez, Erdal; Alanyalıoğlu, Murat; Türüt, A.

doi:10.1016/j.materresbull.2014.10.066

Cited by 18 publications

(2 citation statements)

References 36 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Order By: Relevance

“…Yani diyotların bir MS (Metal-Semiconductor) Schottky diyotundan çok bir MIS (Metal-İsolation-Semiconductor) diyodu olduğunu gösterir. Genellikle bu hallerde metal ile yarıiletkenin ara yüzeyinde 15-40 kalınlığında bir yalıtkan (oksit) tabaka oluşur [13].…”

Section: Ayrıca Temel Akım Ifadesiunclassified

Al/N-Sİ (MIS) SCHOTTKY DİYOTLARINDA OKSİT TABAKASININ I-V KAREKTERİSTİKLERİNE ETKİLERİ

2023

Proceeding Book of 3rd International Conference on Scientific and Academic Research ICSAR 2023

View full text Add to dashboard Cite

Özet -Çağdaş teknolojilerde pek çok alanda kullanılan, hem malzeme mühendisliğinde hem de katıhal fiziğinde en çok ilgi çeken ve üzerinde araştırma yapılan malzemelerden biri Schottky kontaklardır. Bu durumun sebebi yarıiletken malzemelerden yapılan bu devre elemanları yapılan katkı durumuna göre istenilen özelliklere sahip olabilecek şekilde iletkenliklerinin belirlenebilmeleridir. Çalışmamızda hazırlanan numune n-tipi Si malzeme üzerine Al malzemesi ile hem omik, hem de doğrultucu kontak yapıldı. Al/n-tipi/Al Schottky kontaklı diyot yapılarak malzemenin arayüzey hallerinin ve seri direncin ln(I)-V parametrelerine etkileri incelenmiştir. Kimyasal ve fiziksel temizleme işlemleri aynı şekilde yapılan iki diyot tasarlandı. Omik kontakları da aynı şekilde yapılan diyotlardan birinin doğrultucu kontağı aynı gün yapıldı(Diyot 1). Diğer diyotun doğrultucu kontağı bir hafta (yedi gün) sonra aynı şartlarda yapıldı. Yapılan diyotların I-V değerleri ölçülerek idealite faktörleri hesaplandı. Hazırlanan diyotların ln(I)-V grafikleri kullanılarak engel yüksekliği (eФbn), idealite faktörü (n), donor yoğunluğu (ND), doyma akımı (Io) ve seri direnci (Rs), hesaplandı. Ayrıca Cheung Fonksiyonları yardımıyla aynı parametreler hesaplanarak kontrol edildi.

show abstract

Section: Ayrıca Temel Akım Ifadesiunclassified

Al/N-Sİ (MIS) SCHOTTKY DİYOTLARINDA OKSİT TABAKASININ I-V KAREKTERİSTİKLERİNE ETKİLERİ

2023

Proceeding Book of 3rd International Conference on Scientific and Academic Research ICSAR 2023

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…TCOs are semiconductors that exhibit a large bandgap and a high optical transmission in the visible wavelength region [2,3]. Owing to these properties, TCOs find applications in optoelectronic devices, light-emitting diodes, solar cells, and transparent thin-film transistors [2,[4][5][6][7]. TCOs have been extensively researched recently since their properties can be precisely controlled by varying their synthesis parameters.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Effect of Annealing Temperature on Radio Frequency Sputtered p-Type Delafossite Copper Chromium Oxide (CuCrO2) Thin Films and Investigation of Diode Characteristics Forming Transparent pn-Heterojunction

2023

View full text Add to dashboard Cite

For the first time, the deposition of CuCrO2 thin films was carried out using a dual-target RF magnetron sputtering technique using Cu2O and Cr2O3 targets. The deposited films were subsequently annealed in N2 ambiance from 600–900 °C. This work reports that the electrical, optical, structural, and morphological properties of CuCrO2 thin films are significantly affected due to the variation in the annealing temperature. XRD analysis confirms the presence of single-phase CuCrO2 in the films annealed at 650 °C. The presence of Cu in the 1+ oxidation state in the phase pure CuCrO2 thin films was confirmed through XPS analysis. Further, through XPS analysis, the oxidation states of Cu and Cr, the full-width half maximum (FWHM), the peak positions, and their respective binding energies have been elucidated. SEM analysis confirms the promotion of nanocrystalline growth in the thin films as the annealing temperature was increased from 600 °C. The average grain size increased from 40.22 nm to 105.31 nm as the annealing temperature was increased from 600 to 900 °C. Optical studies conducted in the wavelength range of 200 nm to 800 nm revealed a decrease in the optical transmission and optical bandgap with an increase in the annealing temperature. The highest optical transmission of ~81% and an optical bandgap of 3.21 eV were obtained for the films depicting the delafossite nature of CuCrO2. The optical bandgap was found to vary between 3.16 eV and 3.74 eV for the films studied in this research. The lowest resistivity of 0.652 Ω cm was obtained for the films annealed at 650 °C. Transparent heterojunction diodes involving p-type delafossite copper chromium oxide (CuCrO2) and n-type indium tin oxide (ITO) were fabricated. The best diode depicted a cut-in voltage of 0.85 V, a very low leakage current of 1.24 x 10-8, an ideality factor of 4.13, and a rectification ratio of 2375.

show abstract

The effect of thermal annealing on Ti/p-Si Schottky diodes

UĞURLU

Demir

Coşkun

2021

J Mater Sci: Mater Electron

View full text Add to dashboard Cite

The effect of annealing temperature on the electrical characterization of Co/n type GaP Schottky diode

Cited by 18 publications

References 36 publications

Al/N-Sİ (MIS) SCHOTTKY DİYOTLARINDA OKSİT TABAKASININ I-V KAREKTERİSTİKLERİNE ETKİLERİ

Al/N-Sİ (MIS) SCHOTTKY DİYOTLARINDA OKSİT TABAKASININ I-V KAREKTERİSTİKLERİNE ETKİLERİ

Effect of Annealing Temperature on Radio Frequency Sputtered p-Type Delafossite Copper Chromium Oxide (CuCrO2) Thin Films and Investigation of Diode Characteristics Forming Transparent pn-Heterojunction

The effect of thermal annealing on Ti/p-Si Schottky diodes

Contact Info

Product

Resources

About