Synthesizing film-forming materials based on aluminum nitride in order to form optical coatings from them

Kirilenko, V. V.; Zhigarnovskii, B. M.; Pavlovskii, V. K.; Markelova, I. P.; Михайлов, А. В.; Muranova, G. A.

doi:10.1364/jot.75.000800

Cited by 3 publications

(1 citation statement)

References 11 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Выбор методов синтеза пленок AlN определяется тре-бованиями технологии приборных структур, в частности: тонкие пленки AlN (до 1 мкм) возможно синтезировать методами молекулярно-пучковой эпитаксии [7][8][9], хими-ческого осаждения из газовой (паровой) фазы [7,10,11], нитридизации поверхностных слоев [12][13][14][15], реактив-ного ионно-плазменого или магнетронного осажде-ния [7,[16][17][18][19]. Процесс синтеза пленок нитрида алю-миния методом молекулярной-пучковой эпитаксии яв-ляется нетривиальным и дорогостоящим.…”

Section: Introductionunclassified

Влияние Концентрации Кислорода В Составе Газовой Плазмообразующей Смеси На Оптические И Структурные Свойства Пленок Нитрида Алюминия

Лубянский¹,

Bondarev²,

Сошников³

et al. 2018

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

In the work we investigate synthesis of aluminum nitride films using reactive ion plasma deposition in oxygen/nitrogen gas mixture for application as optical elements for power semiconductor lasers. The experimental refractive index of synthesized AlNO films is dependent on oxygen composition and is decreasing in diapason from 1.76 to 2.035 at elevation of the oxygen fraction.It is shown that the AlN films synthesized by pure nitrogen plasma are polycrystalline and textured. The oxygen presence in discharging gas results to growth of amorphous phase of the AlNO film.

show abstract