2008
DOI: 10.1016/j.jallcom.2007.11.065
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Synthesis and characterization of tin sulphide thin films grown by chemical bath deposition technique

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
4
1

Citation Types

1
20
0
2

Year Published

2009
2009
2021
2021

Publication Types

Select...
8

Relationship

1
7

Authors

Journals

citations
Cited by 58 publications
(28 citation statements)
references
References 22 publications
1
20
0
2
Order By: Relevance
“…Полученные зависимости тока пика восстановления и тока пика окисления от концентрации и скорости развертки могут быть выражены уравнениями прямых с определением коэффициента корреляции для каждой прямой (4)(5)(6)(7)(8)(9). Рисунок 2 -Циклические вольтамперные кривые ионов 0,02 М Sn(II), снятые на молибденовом электроде на фоне 0,2 М цитрата натрия, снятые при разных скоростях развертки: 1 -10 мВ/с; 2 -20 мВ/с; 3 -30 мВ/с; 4 -50 мВ/с; 5 -100 мВ/с Для рисунка 3 в: Е(мВ) = 37,26 + 0,070 V 1/2 (мВ/с); R 2 = 0,986 пик восст.…”
Section: результаты и обсуждениеunclassified
See 1 more Smart Citation
“…Полученные зависимости тока пика восстановления и тока пика окисления от концентрации и скорости развертки могут быть выражены уравнениями прямых с определением коэффициента корреляции для каждой прямой (4)(5)(6)(7)(8)(9). Рисунок 2 -Циклические вольтамперные кривые ионов 0,02 М Sn(II), снятые на молибденовом электроде на фоне 0,2 М цитрата натрия, снятые при разных скоростях развертки: 1 -10 мВ/с; 2 -20 мВ/с; 3 -30 мВ/с; 4 -50 мВ/с; 5 -100 мВ/с Для рисунка 3 в: Е(мВ) = 37,26 + 0,070 V 1/2 (мВ/с); R 2 = 0,986 пик восст.…”
Section: результаты и обсуждениеunclassified
“…Тонкие пленки SnS обычно получают с помощью высокотемпературных и многостадийных методов, таких как спрейпиролиз [6], химическое осаждение из паровой фазы [7], осаждение SILAR [8], испарение с помощью направленного пучка электронов [9].…”
Section: Introductionunclassified
“…A ternary system Cd 0.5 Ni 0.5 Se composed of NiSe and CdSe can be engineered for better application purpose. Semiconductor with band gap of 1.2 eV [4] has appropriate electrical and optical characteristics suitable for solar applications. Therefore, our interest is to study electrical and optical properties of nickel substituted CdSe semiconducting material which is useful for solar applications.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Therefore, our interest is to study electrical and optical properties of nickel substituted CdSe semiconducting material which is useful for solar applications. CdSe and NiSe thin films have been prepared by molecular beam epitaxy, electron beam evaporation, electrodeposition, chemical vapour deposition, spray pyrolysis, sputtering and chemical bath deposition [3][4][5]. The chemical bath deposition is emerged as an important method due to several advantages such as low cost, low processing temperature and large area deposition capability [6][7][8][9][10].…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%
“…Furthermore, it has a large optical absorption coefficient [10], and is widely used in the thin-film solar cells. SnS can be prepared to many different morphologies, thin films [11,12], nanowires [13,14], fullerene-like nanoparticles [15], dendrite-like nanoparticles [16], and nanobelts [17]. However, the size of the most products is larger than 10 nm, and the products cannot form homogeneous solution with polymer in chlorobenzene or other solvent.…”
Section: Introductionmentioning
confidence: 99%