Suppression of surface leakage current in InSb photodiode by ZnS passivation

Park, Sehun; Choi, Dae Ro; Park, Hwanyeol; Moon, Daeyoung; Yoon, Euijoon; Park, Yongjo; Bae, Duk Kyu

doi:10.1504/ijnt.2016.077089

Cited by 6 publications

(2 citation statements)

References 0 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Поверхностный ток связан с наличием поверхностных состояний и генерацией носителей через них. Поверхностный ток понижают, пассивируя поверхность [2,3].…”

unclassified

AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Суханов¹,

Бакаров²,

Протасов³

et al. 2020

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

A photodetector heterostructure based on AlInSb / InSb grown by molecular beam epitaxy was presented. Mesastructures of various diameters were fabricated and the temperature dependence of the dark current was measured. It was shown that the built-in barrier blocks the flow of the main charge carriers, thereby reducing the dark current density, in comparison with the pin structure based on InSb. By measuring the dependence of the dark current on the size of the mesastructure, it was shown that the bulk component of the current prevails over the surface component.

show abstract

unclassified

AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Суханов¹,

Бакаров²,

Протасов³

et al. 2020

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Пассивация материалов А 3 В 5 , в частности InSb, окислами кремния [1], сульфидами [2] и азотом [3] может уменьшать поверхностные токи утечки [4], а также приводить к исчезновению гистерезиса на вольтфарадных характеристиках [1,4], усилению фотолюминесценции [3,5] и линейности вольт-амперных характеристик (ВАХ) [6].…”

unclassified

Cвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS

Шишкин¹,

Никулин²,

Прихожденко³

2020

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

In the InSb film fabricated by thermal evaporation on the CdS single crystal, growth of reflection in the infrared region similar to plasma resonance in the single crystals has observed. Raman spectra demonstrate that the ratio of amorphous and crystalline phases is approximately constant for InSb films on the CdS substrate, which is not typical for the InSb film on gallium gadolinium garnet. The current – voltage characteristics of the InSb film on CdS as well as the annealed layer of InSb (core)–CdS (shell) quantum dots are linear and become sensitive to illumination.

show abstract

AlInSb/InSb Heterostructures for IR Photodetectors Grown by Molecular-Beam Epitaxy

et al. 2020

View full text Add to dashboard Cite

Suppression of surface leakage current in InSb photodiode by ZnS passivation

Cited by 6 publications

References 0 publications

AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

AlInSb/InSb-гетероструктуры для ИК-фотоприемников, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии

Cвойства пленок на основе наноразмерных и субмикронных частиц InSb, пассивированных CdS

AlInSb/InSb Heterostructures for IR Photodetectors Grown by Molecular-Beam Epitaxy

Contact Info

Product

Resources

About