Structure of the interlayer between Au thin film and Si-substrate: Molecular Dynamics simulations

Abstract

Interaction between 2, 3, 5 and 7 atomic layers of gold and a (111) silicon surface was investigated with the molecular dynamics simulation method. The simulation of the diffusion interaction between gold and silicon in the temperature range 425-925 K has been carried out. The peculiarities of the concentration changes of the interacting components and the atomic density at the boundary of two phases in the direction perpendicular to the crystalline surface were established. By means the formalism of quasi two dimensional partial pair correlation functions the atomic structure of the diffusion region was analyzed. The formation of the alloy of eutectic composition within the goldsilicon interlayer was established. It was shown that the inter-phase mixing in various temperature intervals occurred according to different diffusion mechanisms.

Interfacial free energy at the liquid-solid phase boundary calculated by the method of capillary fluctuations

“…В даній роботі здійснено розрахунок міжфазної енергії для кремнію та деяких металів (Al, Cu, Au) використовуючи метод капілярних флуктуацій за температури близької до точки плавлення кожного з досліджених матеріалів. Для моделювання було вибрано потенціали міжатомної взаємодії, використані нами для моделювання процесу дифузійної взаємодії кремнію з моношарами металу [18][19][20].…”