“…Демонстрируемые ими ПЭМ-изображения поперечного среза не позволяют подтвердить заявленную величину, так как охватывают слишком малый объем исследуемого объекта. В работах [1,3] демонстрируются ОМизображения пленок (GaAs [1] и Ge [3]) на Si с ямками травления, плотность которых также составляет (1−2) • 10 5 cm −2 , однако нет доказательств того факта, что ямки являются дислокационными. Укажем, что в мировой литературе в целом природе ямок травления на поверхности ГС уделяется мало внимания (в качестве редкого исключения можно отметить работу [4]).…”