on the occasion of his 80th birt,hdayThe optical absorption of Cr4+ created during illumination with hv > 0.75 eV in semi-insulating GaAs: Cr is investigated a t low temperatures (< 150 K). Analyzing the concentrations of Cr2+, Cr3+, and Cr4'-during illumination and measuring the excitation spectrum of Cr4+, the creation mechanism of photoinduced Cr4+ conclusively proved to be the two step process Cr3+ + hv + .+ Cr2+ $ hole,;, and hole,b --t Cr3+ + Cr4+. The concentration of photoinduced Cr4+ is measured in dependence on the contents of Cr2+ and Cr3+ present in the samples before illumination, on temperature, and on illumination intensity. Its time dependence of rise after switching on and of decay after switching off the illumination is measured under various conditions. The results are interpreted using dynamic equations for the concentration of Cr2+, Cr3+, and Cr4+ during illumination basing on the assumption that only excitation and capture processes via the valence band contribute to the formation of photoinduced Cr4+ and that the tunneling process Cr4+ + Cr2+ --2 Cr3+ is responsible for its decay.Die durch Bestrahlung mit Licht hv > 0,75 eV bei tiefen Temperaturen (< 150 K) in semiisolierendem GaAs:Cr erzeugte optische Absorption des Cr4+ wird untersucht. Aus der Analyse der Konzentrationen von Cr2+, Cr3+ und Cr4+ wahrend der Bestrahlung und aus der Messung des Anregungsspektrums des Cr4+ wird eindeutig bewiesen, daO der Erzeugungsmechanismus des photoinduzierten Cr4+ der Zwei-Schritt-ProzeB Cr3+ + hv -% Cr2+ $. holeyb und hole,b + C,r3+ -Cr4+ ist. Die Konzentration des photoinduzierten Cr4+ wird in Abhangigkeit vom Gehalt an Cr2+ uiid Cr3+ in den Proben vor der Bestrahlung, von der Temperatur und von der Bestrahlungsintensitat gemessen. AuBerdem werden dereii zeitlicher Verlauf des Anwachsens nach Einschalten und des Abfallens nach Abschalten der Bestrahlung unter verschiedenen Bedingungen gemessen. Die Ergebnisse werden durch dynamische Gleichungen fur die Konzentrationen des Cr2+, Cr3+ und des Cr4+ wahrend Bestrahlung interpretiert, deren Giiltigkeit auf der Voraussetzung beruht, daO nur Anregungs-und Einfangprozesse uber das Valenzband zur Eldung des photoinduzierten Cr4+ beitragen und darauf, daB der TunnelprozeB Cr4+ + Cr2+ -2 Cr3+ fur dessen Zerfall verantwortlich ist,.