Matched X-Ray Reflectometry and Diffractometry of Super-Multiperiod Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy

Получение Регулярных Металлических И Диэлектрических Микроструктур На Основе Модифицированных При Облучении Полимерных Пленок

“…Таким образом, рассматриваемые микроструктуры являются перспективными в качестве оптических элементов для решения задач повышения эффективности детектирования ИК-излучения, усиления сигнала и конверсии в видимый и ближний ИК-диапазоны. Следует отметить, что проблема создания структур, период которых выдержан с высокой точностью (разброс меньше 1%), актуальна и обсуждается применительно к разработке новых оптических элементов и источников лазерного излучения [7][8][9].…”

Глубокая Рентгеновская Рефлектометрия Сверхмногопериодных A3b5-Структур С Квантовыми Ямами, Выращиваемых Методом Молекулярно-Пучковой Эпитаксии

“…Для исследованных образцов и диапазонов углов величина σ ∼ 0.35 nm оказалась критичной для использования приближенных поправок типа DW и NC, однако, в общем случае, это зависит от корреляционной длины (статистики шероховатости), угла падения и длины волны излучения и может быть определено только на основе применения строгой теории рассеяния. Опираясь на полученные согласованные данные, можно найти лучшее решение обратных задачи ВРР и ВРД [3] и определить изменения толщин и состава слоев СМП структур с высокой точностью.…”

“…Однако, в настоящий момент перестраиваемых источников на данный диапазон частот фактически не существует. Нами разрабатываются перспективные A3B5 структуры с большим числом периодов (от 100 до 1000) и толщиной до 12 µm, выращиваемые на установке полупромышленного типа Riber 49 методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и обладающие резкими гетерограни-цами, постоянством состава и хорошей поверхностной однородностью [3,4]. Для синтеза подобных образцов необходимо создать новые методы прецизионного контроля структурных параметров и состава, в первую очередь, толщин периодов и ширин интерфейсов, в том числе с использованием строгих теоретических методов и данных, получаемых на источниках синхротронного излучения (СИ) с ультрамалым эмиттансом.…”

Высокоточная характеризация сверхмногопериодных AlGaAs/GaAs-сверхрешеток с помощью рентгеновской рефлектометрии на синхротронном источнике

“…Гетероструктуры с множеством сильно связанных квантовых ям, такие как сверхмногопериодные (СМП) сверхрешетки (СР), в последнее время привлекают внимание в связи с созданием комнатных инфракрасных и терагерцевых перестраиваемых лазеров на основе образования специфических минизон (уровней Ванье−Штарка) и последовательного туннелирования носителей через несколько периодов [1][2][3]. Чтобы уменьшить рассеяние носителей на гетерограницах, образцы с сотнями и тысячами слоев следует выращивать с атомарной точностью толщин, субатомным уровнем среднеквадратичной шероховатости и диффузности интерфейсов (σ ) и точностью состава, составляющей доли процента [4][5][6].…”

“…На источнике СИ для исследуемых СМП-структур были обнаружены глитчи -неосновные брэгговские пики рентгеновского отражения, которые ранее не наблюдались в аналогичных образцах, исследуемых на различных лабораторных дифрактометрах [1,7,17]. Они становятся заметными при достаточно больших углах скольжения, начиная с 1.5−2 • (выделены овалами на рис.…”