Magnetic properties and anisotropy of amorphous Tb-Co alloys

Никитин, С.А.; Андреенко, А.С.; Damianova, R.

doi:10.1109/20.11668

Cited by 3 publications

(3 citation statements)

References 1 publication

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…For these reasons, films consisting of Tb and Co are promising for applications due to the flexibility of magnetic anisotropy which can be adjusted by varying RE concentration and modifying conditions of the sample deposition [6][7][8][9][10][11][12][13][14][15][16][17][18]. It has been shown that Tb and Co subsystems form a non-collinear so-called sperimagnetic ferrimagnetic structure [19][20][21], where the angle between magnetic moments of Co and Tb sublattices is changing from 50 to 165 • depending on the composition [22]. The compensation concentration of the Tb is x = 23 % and the angle is maximal.…”

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Imprinted Magnetic Anisotropy and Zigzag Domain Structure of Amorphous TbCo Films

Ukleev

Moubah

Баранов³

et al. 2015

J Supercond Nov Magn

View full text Add to dashboard Cite

We investigate the magnetic anisotropy and domain structure of amorphous Tb x Co (1−x) films grown in external in-plane magnetic field by high-frequency ion sputtering. Films with different thicknesses 100 and 500 nm and rare-earth element concentrations x = 12 % and x = 34 % present strong imprinted in-plane uniaxial anisotropy. Measurements of magnetic properties and domain structure imaging were performed by means of longitudinal and polar magneto-optical Kerr effect (MOKE). The coercivity fields increase by an order of magnitude for the higher Tb V. Ukleev concentration and increase with film thickness (H c along the hard axis are 495, and 580 Oe, for 100 and 500 nm, with x = 34 % and 65, and 95 Oe for 100 and 500 nm with x = 12 %, respectively). Polar MOKE measurements revealed the existence of an out-of-plane magnetization component for the films with a Tb concentration of 34 % in lower fields. Large-scale domain structure of TbCo films with imprinted anisotropy was also studied as a function of applied field. Kerr imaging shows a zigzag domain structure of Tb 12 Co 88 films, while no domains were found in Tb 34 Co 66 samples. We also demonstrate that the zigzag angle depends on the film thickness. We suggest that domain structure in these films is determined by the interplay of imprinted and local magnetic anisotropies as well as exchange interaction.

show abstract

Section: Introductionmentioning

confidence: 99%

Imprinted Magnetic Anisotropy and Zigzag Domain Structure of Amorphous TbCo Films

Ukleev

Moubah

Баранов³

et al. 2015

J Supercond Nov Magn

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Para investigar a direção preferencial de magnetização da liga CoTb e a concentração de compensação, diversas caracterizações magnéticas foram propostas. Anisotropia perpendicular da liga CoTb é identificada em amostras produzidas com outras técnicas [74,76]. A figura 2.30 a) mostra curvas de medidas da magnetização em função do campo aplicado no plano das amostras contendo diferentes quantidades de Tb e Co. As curvas de magnetização mostram boa saturação, exceto a amostra contendo 25% de térbio.…”

Section: T Boh(ii) + Counclassified

“…Acima dos 40% a magnetização novamente aumenta no plano e diminui na configuração perpendicular. Diante do comportamento mostrado, é razoável afirmar que amostra T b 25 Co 75 possui concentração de compensação [74,76]. A compensação da magnetização no plano é decorrente da interação dos spins dos orbitais 4f de térbio e orbitais 3d de cobalto.…”

Section: T Boh(ii) + Counclassified

Microfabricação e caracterização de transistores spintrônicos balísticos e lógicos

Teixeira¹

View full text Add to dashboard Cite

A invenção do transistor foi a mais impactante diante todos os dispositivos eletrônicos. A rá- pida e constante evolução da tecnologia de informação exigia componentes em menor escala de tamanho e integrados em quantidades cada vez maiores aos circuitos. O constante aumento da velocidade de processamento e redução de tamanho não mais propiciava ganhos reais com a chegada ao limite físico, comprometendo a relação custo benefício. A possibilidade de utilizar o spin do elétron fez da spintrônica uma linha de pesquisa bastante explorada na tecnologia. Dis- positivos spintrônicos apresentam grande aumento da velocidade de processamento de dados e reduz o consumo de energia. A utilização da spintrônica em transistores os tornam candi- datos a suprir as limitações da eletrônica convencional. O transistor de base metálica (TBM), que na época de sua criação teve pouco apelo da indústria microeletrônica, devidos aos baixos valores de ganho apresentados, novamente desperta interesse. Substituir o metal da base por metal magnético pode angariar propriedades decorrentes da exploração do grau de liberdade de spins, ainda não exploradas. O "boom"da spintrônica levou a proposta do Spin-FET, um transistor spintrônico para substituir os MOS FETS. Um dispositivo lógico composto de três eletrodos (Fonte, Dreno e Gate) para gerar os estados ON-OFF. A corrente é polarizada em spins na fonte, injetada no canal e lida no dreno. No canal (elo de ligação da fonte com o dreno) a orientação de spins é controlada com de interação Rashba, induzida por um potencial externo através da terceira conexão, Gate. A informação pode ser detectada se os spins tiverem a mesma orientação da magnetização do dreno (estados ON) ou contrária, (estados OFF). O maior desa- ﬁo do Spin-FET atualmente é o controle eﬁciente do spin no canal. Nesta Tese apresentamos uma proposta de fabricação do Spin FET com grande poder de injeção/detecção de spins e o diferencial do controle da precessão de spins no canal de grafeno. O projeto foi realizado em colaboração bilateral com o INL (International Iberian Nanotechnology Laboratory), que dis- põe de toda estrutura necessária na produção, sendo referência em micro fabricação. A proposta inovadora de adicionar o grafeno como última etapa na fabricação garantiu a qualidade do gra- feno, diferencial para dispositivo rápido e que controle estados magnéticos de forma precisa. O dispositivo fabricado proporcionou comprimento de difusão de spins em torno de 7µm, valor similar aos maiores que se tem conhecimento para mesma técnica de produção de grafeno. O controle da rotação no Gate foi obtido de forma eﬁciente para correntes puras de spins e spins polarizadas em temperaturas de 15 K e 300K, um diferencial deste trabalho. Durante o douto- rado outros trabalhos foram desenvolvidos com eletrodeposição. O TBM com base permeável de Permalloy (FeNi) e emissor de ZnO apresentou ótima qualidade nas junções Schottky, com 0,57 eV para interface FeNi/Si e 0,58 eV para ZnO/FeNi. A pouca espessura da base de FeNi depositada próximo ao tempo de percolação, tornou-a permeável, característica que facilita o alcance de elétrons balísticos do emissor no coletor sem serem drenados na base. Como resul- tado, o TBM apresentou um ganho três vezes acima do esperado na conﬁguração base comum e 3,6 no modo ampliﬁcação. O dispositivo sob ação de campo magnético externo apresentou um incremento de 1% na corrente de coletor, portanto, aumento de 10 vezes na sensibilidade em relação as medidas de Magnetorresistência Anisotrópica. Os estudos com dispositivos ti- veram ainda outros horizontes a partir do desenvolvimento com eletrodeposição de ligas que podem oferecer outras possibilidades a transistores ou MRAMs. Na liga de Cobre Permalloy foi constatado grande controle das propriedades magnéticas e cristalinas com a concentração de cobre. Houve também estudo da queda da temperatura de Curie da liga com aumento concen- tração de cobre, o que abre possibilidade de emprego em sensor magnético de temperatura. Já a liga de cobalto térbio mostrou se um material amorfo com anisotropia perpendicular ao plano, dependendo das concentrações dos materiais. Tal característica abre possibilidade de emprego em transistor com seletividade de portadores em orientação perpendicular ao plano, dispositivos de comutação ótica com mecanismos de torque de spin órbita, além de estudo experimental de skírmions. Palavras-chave: Spintrônica. Dispositivos. Microfabricação. Spin-FET.

show abstract

Magnetic properties of amorphous rare-earth – 3d-transition-metal alloys

Андреенко¹,

Никитин²

1997

Phys.-Usp.

View full text Add to dashboard Cite

Effective collision strengths for electron-impact excitation of Fe II are presented for all sextet-to-quartet transitions among the 38 L S states formed from the basis configurations 3d 6 4s, 3d 7 and 3d 6 4p. A total of 112 individual transitions are considered at electron temperatures in the range 30-100 000 K, encompassing values of importance for applications in astrophysics as well as laboratory plasmas. A limited comparison is made with earlier theoretical work and large differences are found to occur at the temperatures considered. In particular, it is found that the inclusion or omission of some (N + 1)-bound configurations in the Hamiltonian matrices describing the collision process can have a huge effect on the resulting effective collision strengths, by up to a factor of four in some cases.

show abstract

Magnetic properties and anisotropy of amorphous Tb-Co alloys

Cited by 3 publications

References 1 publication

Imprinted Magnetic Anisotropy and Zigzag Domain Structure of Amorphous TbCo Films

Imprinted Magnetic Anisotropy and Zigzag Domain Structure of Amorphous TbCo Films

Microfabricação e caracterização de transistores spintrônicos balísticos e lógicos

Magnetic properties of amorphous rare-earth – 3d-transition-metal alloys

Contact Info

Product

Resources

About