volume 4, issue 5 (94), P14-21 2018
DOI: 10.15587/1729-4061.2018.139853
View full text
|
|
Share
Sviatoslav Vasylets, Kateryna Vasylets

Abstract: Удосконалена математична модель біполярного транзистора з ізольованим затвором за рахунок встановлення аналітичних виразів для динамічних паразитних ємностей приладу. Вирази знайдені шляхом аналітичного диференціювання функцій, які апроксимують залежності паразитних ємностей транзистора від напруги між колектором та емітером. Запропонована методика формування математичної моделі IGBT інвертора напруги у вигляді матричних диференційних рівнянь стану в формі Коші та нелінійних рівнянь зв'язку. Обмеження на кільк…

expand abstract