Ga x In1 − x Bi y As z Sb1 − y − z /InSb and InBi y As z Sb1 − y − z /InSb heterostructures grown in a temperature gradient

Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al-=SUB=-x-=/SUB=-In-=SUB=-y-=/SUB=-Ga-=SUB=-1-x-y-=/SUB=-Bi-=SUB=-z-=/SUB=-Sb-=SUB=-1-z-=/SUB=-/GaSb

“…Исследования многокомпонентных гетероструктур соединений A 3 B 5 показали, что качество поверхности и структурное совершенство зависит от условий выращивания [32]. Различие a и α в слое и подложке приводит к механическим напряжениям, возникающим в кристаллизуемом материале непосредственно в процессе роста, либо во время последующего охлаждения до комнатной температуры [15][16][17][18][19][20][21][22][23][24][25][26][27][28][29][30][31][32][33][34].…”

“…Применение висмута в качестве изовалентной примеси дает ряд преимуществ, таких как: улучшение морфологической стабильности фронта кристаллизации и уменьшение отклонения состава соединений A 3 B 5 от стехиометрии, возможность изменения коэффициентов распределения легирующих компонент за счет взаимодействия примесей в расплаве [21]. Увеличение компонентов в многокомпонентных твердых растворах (МРТ) и легировании изовалентными примесями (Bi) открывает широкие возможности в варьировании фотоэлектрических свойств элементной базы приборов [22][23][24][25][26][27]. Кроме того, висмутосодержащие многокомпонентные гетероструктуры на основе антимонида галлия интересны также для создания фотоприемных устройств, работающих в спектральном диапазоне 0.4−4.0 µm [28][29][30].…”

Study of Properties of Multicomponent Heterostructures Based on A^IIIB^V Compounds

“…The temperature gradient sets the recrystallization speed, determines the quality of the grown structures. In this connection, for create and control temperature gradient was used heating device designed and described in [30][31][32][33][34].…”