Free‐Carrier Absorption in n‐PbSe at Low Temperatures Due to Electron–Electron Scattering

Abstract

Free-carrier absorption due to electron-electron interaction in strongly degenerate n-PbSe is calculated using the theory developed in a previous paper. This theory is specified for the case of weakly anisotropic conduction band. Numerical results for the free-carrier absorption are compared with those corresponding to other electron scattering processes, and with experimental data on this material a t 30 K.Die Absorption an freien Ladungstragern, hervorgerufen durch Elektron-Elektron-Wechselwirkung im stark entarteten n-PbSe, wird entsprechend der in der letzten Arbeit entwickelten Theorie berechnet. Diese Theorie wird fur den Fall eines schwach anisotropen Leitungsbandes spezifiziert. Die numerischen Ergebnisse der Absorption a n freien Lzdwngstragern werden vergliechne mit den Ergebnissen anderer Prozesse der Elektronenstreuung und mit experimentellen Ergebnissen a n diesem Material bei 30 K.