Effect of the Electric Mode and γ Irradiation on Surface-Defect Formation at the Si–SiO2 Interface in a MOS Transistor

Kulikov, N. A.; Попов, В. В.

doi:10.1134/s1063782619010123

Cited by 6 publications

(4 citation statements)

References 8 publications

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Процесс 1а поверхностного дефектообразования происходит аналогично процессу в МОПТ с n-каналом [3]. В результате этого процесса образуются поверхностные дефекты типа p b -центры в пределах запрещенной зоны кремния.…”

Section: процессы поверхностного дефектообразованияunclassified

“…В настоящее время широко применяются в бортовой аппаратуре космических аппаратов КМОП-интегральные микросхемы, содержащие как n-канальные транзисторы, так и транзисторы с p-каналом. Большинство публикаций посвящено радиационным эффектам в МОП-транзисторах (МОПТ) с n-каналом [2,3], в которых наблюдались два этапа поверхностного дефектообразования.…”

Section: Introductionunclassified

See 1 more Smart Citation

Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с p-каналом

Кузьминова¹,

Куликов²,

Попов³

2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Section: процессы поверхностного дефектообразованияunclassified

Section: Introductionunclassified

Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с p-каналом

Кузьминова¹,

Куликов²,

Попов³

2020

Физика И Техника Полупроводников

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…As a sensitive membrane material, SiO 2 has some inherent disadvantages. It is subject to diffusion of protons or hydrogen, and source-drain current, resulting in serious drift and deterioration of ISFET based on SiO 2 [37][38][39]. Compared with other high-k sensitive film materials, Si 3 N 4 has many advantages.…”

Section: Analysis Of Semiconductor Materialsmentioning

confidence: 99%

Design and Implementation of a pH Sensor for Micro Solution Based on Nanostructured Ion-Sensitive Field-Effect Transistor

Wang

Yang

2020

Sensors

View full text Add to dashboard Cite

pH sensors based on a nanostructured ion-sensitive field-effect transistor have characteristics such as fast response, high sensitivity and miniaturization, and they have been widely used in biomedicine, food detection and disease monitoring. However, their performance is affected by many factors, such as gate dielectric material, channel material and channel thickness. In order to obtain a pH sensor with high sensitivity and fast response, it is necessary to determine the appropriate equipment parameters, which have high processing cost and long production time. In this study, a nanostructured ion-sensitive field-effect transistor was developed based on the SILVACO technology computer-aided design (TCAD) simulator. Through experiments, we analyzed the effects of the gate dielectric material, channel material and channel thickness on the electrical characteristics of the nanostructured field-effect transistor. Based on simulation results, silicon nitride was selected as the gate dielectric layer, while indium oxide was chosen as the channel layer. The structure and parameters of the dual channel ion-sensitive field-effect transistor were determined and discussed in detail. Finally, according to the simulation results, a pH sensor based on the nanostructured ion-sensitive field-effect transistor was fabricated. The accuracy of simulation results was verified by measuring the output, transfer and pH characteristics of the device. The fabricated pH sensor had a subthreshold swing as low as 143.19 mV/dec and obtained an actual sensitivity of 88.125 mV/pH. In addition, we also tested the oxidation reaction of hydrogen peroxide catalyzed by horseradish peroxidase, and the sensitivity was up to 144.26 pA mol−1 L−1, verifying that the ion-sensitive field-effect transistor (ISFET) can be used to detect the pH of micro solution, and then combine the enzyme-linked assay to detect the concentration of protein, DNA, biochemical substances, biomarkers, etc.

show abstract

“…При этом показано в [12], что этот процесс связан с разложением молекулы водорода H2 на границе Si-SiO2. Особенностью процесса образования этого дефекта является то, что необходимо участие «горячих» электронов, порожденных гамма-излучением (рисунок 1) [5]. Время начала этого процесса обусловлено диффузией молекул водорода Н2 к границе раздела Si-SiO2.…”

Section: Introductionunclassified

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ НА ГРАНИЦЕ Si-SiO2 С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ГАММА-ОБЛУЧЕНИЯ

Кузьминова,

Попов

2024

Флагман Науки

View full text Add to dashboard Cite

Представлена методика определения параметров поверхностных дефектов на границе раздела «кремний – оксид кремния» и на границе приповерхностной области кремния с использованием воздействия гамма-излучения с мощностью дозы Р = 0,1 рад/с в широком диапазоне доз. Исследованы МОП транзисторы, определены параметры процессов в широком диапазоне доз.

show abstract

Effect of the Electric Mode and γ Irradiation on Surface-Defect Formation at the Si–SiO2 Interface in a MOS Transistor

Cited by 6 publications

References 8 publications

Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с p-каналом

Исследование радиационных эффектов в МОП-транзиcторе с p-каналом

Design and Implementation of a pH Sensor for Micro Solution Based on Nanostructured Ion-Sensitive Field-Effect Transistor

ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ НА ГРАНИЦЕ Si-SiO2 С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ГАММА-ОБЛУЧЕНИЯ

Contact Info

Product

Resources

About