Design and simulation of strained Si/SiGe dual channel MOSFETs

Exploration towards electrostatic integrity for SiGe on insulator (SG-OI) on junctionless channel transistor (JLCT)

“…The strain induce effect occur when a SiGe layer is grown epitaxial on a thin silicon substrate. [24], [25] a simple identification of the device performance is represented by considering a relaxed SiGe layer, with the change in the molefraction value. The model used for the simulation is default drift-diffusion carrier transport mobility model.…”

Efeito da tensão mecânica no ruído de baixa frequência de transistores SOI planares e tridimensionais.

“…Inicialmente, tem-se a camada de silício no substrato; posteriormente é feito o crescimento gradual da liga de silício-germânio onde, com o aumento da espessura da camada da liga, a tensão mecânica também aumenta, atingindo uma espessura crítica e a partir desta espessura a camada sofre um relaxamento através da formação das discordâncias de misfit (60,61 (62). O simulador de dispositivos da Synopsys utiliza as leis fundamentais da física de semicondutores para a realização de suas simulações, calculando as características elétricas associadas à estrutura e suas condições de polarização, sendo alcançado através da aproximação pelo método dos elementos finitos do dispositivo em duas ou três dimensões com suas respectivas grades de pontos.…”