Characterization of ZnO:Ga and ZnO:N films prepared by PLD

Study of Nonpolar GaN/ZnO Heterostructures Grown by Molecular Beam Epitaxy

“…However, the other emission peak at 3.22 eV dominated the PL spectrum; the peak energy was smaller than the emission energy of ZnO by approximately 60 meV. In the previous literature, several studies were devoted to the discussion of the interaction between GaN and ZnO via the analysis of luminescence spectrum. − The ultraviolet (UV) emission around 3.20 eV was related to the shallow donor–acceptor-pair (DAP) transitions or free-to-bound transitions (A°X) in the ZnO epitaxial layer. Moreover, the incorporation of elements of gallium (Ga) and nitrogen (N) could be treated as the external acceptor states to induce the p -type ZnO epitaxial layer, due to the heterovalent interface interaction.…”

Low resistivity p-type Zn1−Al O:Cu2O composite transparent conducting oxide thin film fabricated by sol–gel method

“…The most common techniques for the synthesis of p-type multicomponent oxide thin films, e.g. pulse laser deposition [31], radio frequency magnetron sputtering [32] and molecular beam 1.66 Â 10 À2 to 6.94 Â 10 À3 V cm, respectively. These results show that post-annealing in a forming gas is effective and practicable in producing p-type AZO.…”

Влияние потока низкотемпературной плазмы азота на морфологию, электрические и УФ-проводящие свойства пленок ZnO на сапфире

“…Таким образом, повышению фоточувствительности и сокращению времени релаксации фототока может способствовать формирование высокой концентрации центров захвата и рекомбинации носителей заряда в тонких пленках ZnO : N путем внедрения азота. Известно несколько способов получения пленок ZnO, допированных азотом: магнетронное распыление в атмосфере азота [8]; постростовая обработка пленок в азотной плазме [9]. При этом авторами отмечается сложность получения и низкие эксплуатационные характеристики таких образцов: требуется длительное время обработки (до 20 h); в процессе эксплуатации азот десорбируется и имеется тенденция к восстановлению высокой проводимости n-типа.…”

“…1) концентрация примесных атомов азота увеличивается с 1.27 до 2.41%. Рекордного уровня легирования эпитаксиальных пленок ZnO азотом с предельной концентрацией азота 7.5 at.% [8] Проверка резистивного отклика пленки ZnO на УФосвещение показала, что до обработки характерна низкая токовая УФ-чувствительность (∼ 10 −7 А/W) и токовый контраст (∼ 1−2%) при 10 V. После обработки отклик был значительно отчетливее, чувствительность возросла до 3.6 • 10 −5 A/W при 6 V (рис. 3).…”