Análise dos Efeitos do Diodo Laser de Al-Ga-In-P (Alumínio- Gálio-Índio-Fósforo) com Potências de 1 J/Cm2 e 5 J/Cm2 na Dor Induzida Pela Hipotermia Quando Aplicada nos Acupontos Ig4 (Hegu) e Ig15 (Jianyu)

Abstract

Lasers de baixa potência atuam diminuindo a inflamação e como consequência, a sensibilidade à dor. Com o intuito de eliminar o desconforto durante os estímulos nos acupontos pelas agulhas, foi introduzido o estímulo por radiação Laser nos pontos de acupuntura, nascendo a Laser acupuntura. Esse estudo teve como objetivo verificar a influência da ação do Diodo Laser de Al-Ga-In-P (Alumínio-GálioÍndio-Fósforo) com potências de 1 J/cm2 e 5 J/cm2 aplicados nos acupontos IG4 e IG15 aplicados ipsilateral e contralateral ao membro estimulado pela hipotermia. Trinta e seis voluntários de ambos os sexos foram divididos em três grupos: Laser com potência de 1 J/cm2 nos acupontos IG4 e IG15, Laser com potência de 5 J/cm2 nos mesmos acupontos e Controle (sem intervenção). O estudo consistiu em três ciclos: hipotermia sem Laser (Pré-Tratamento), hipotermia com Laserterapia (Tratamento) e hipotermia pós Laserterapia (Pós Tratamento). A latência do limiar de dor e a intensidade da dor foram mensuradas em todos os ciclos. Para a análise dos dados da latência do limiar da dor foi aplicado o teste de Anova um critério acompanhado do teste T de Student pareado como post hoc. O teste de Friedman foi aplicado para análise da intensidade da dor. O nível de significância adotado neste estudo foi de p<0,05. Os resultados foram, estatisticamente significativos em relação à latência do limiar de dor nos grupos 1 J/cm2 e 5 J/cm2. Quanto à intensidade da dor, nenhum dos grupos apresentou significância estatística.