A study of the effect of fast neutrons and electrons on white and blue LEDs

Gridin, V. N.; Ryzhikov, I. V.; Vinogradov, V. S.

doi:10.1134/s1063782609130168

Cited by 3 publications

(2 citation statements)

References 1 publication

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Але на сьогодні необхідної інформації про вплив радіації на ІnGaN/GaN світлодіоди (СД) для розробки методів активної модифікації структури кристала та формування неоднорідностей потрібного виду недостатньо. Ефект впливу малих доз нейтронів на ІnGaN/GaN СД розглянуто в роботі [3]; дослідження з використанням великих доз (Ф = 2•10 16 -8 •10 19 н/cм 2 ) виконані на плівках GaN, вирощених на сапфірі [4 -6]; деградація ІnGaN/GaN СД під дією γ-квантів, електронів і нейтронів вивчалась у роботах [1,2,7,8].…”

Section: вступunclassified

“…Одночасне зростання тунельного та інжекційного струму (див. рис.1) не є типовим -зазвичай при радіаційній деградації інжекційний струм (струм після напруги ввімкнення електролюмі-несценції, ≈ 2,6 … 2,7 В) знижується [1,3,8]. Подібне «покращення» прямої ВАХ в області номінального струму автори [10,11] раніше спостерігали у GaP СД.…”

Section: експеримент та зразкиunclassified

See 1 more Smart Citation

Effect of neutron irradiation on characteristics of power ІnGaN/GaN light-emitting diodes

Vlasenko¹,

Veleschuk²,

Vlasenko³

et al. 2015

Nucl. Phys. At. Energy

View full text Add to dashboard Cite

Вивчено вплив потоку швидких нейтронів реактора (Е = 2 МeВ, Ф = 2•10 14 н/см 2) на вольт-амперні та вольтфарадні характеристики, інтенсивність електролюмінесценції потужних ІnGaN/GaN світлодіодів на кремнієвовуглецевій підкладинці та на кремнієвій підкладинці із золото-олов'яним контактом. Виявлено, що величина та знак зміни тунельних струмів після радіаційного опромінення у світловипромінюючих ІnGaN/GaN гетероструктурах суттєво залежить від підкладинки. Ключові слова: потужні ІnGaN/GaN світлодіоди, опромінення, вольт-амперні характеристики. EFFECT OF NEUTRON IRRADIATION ON CHARACTERISTICS OF POWER ІnGaN/GaN LIGHT-EMITTING DIODES Effect of the fast neutron flux reactor (E = 2 MeV, Ф = 2•10 14 n/cm 2) on the current-voltage, capacitance-voltage characteristics, the electroluminescence intensity of power ІnGaN/GaN LEDs on the SіC and AuSn/Si substrates are studied. It was revealed that radiation hardness of InGaN/GaN heterostructures depend on the substrate.

show abstract

Section: вступunclassified

Section: експеримент та зразкиunclassified

Effect of neutron irradiation on characteristics of power ІnGaN/GaN light-emitting diodes

Vlasenko¹,

Veleschuk²,

Vlasenko³

et al. 2015

Nucl. Phys. At. Energy

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

Fast neutron irradiation effects on AlGaN deep ultraviolet light emitting diodes

et al. 2021

View full text Add to dashboard Cite

Spectral features of pristine and irradiated white emitting InGaN LEDs with quantum wells

Budnyk,

Chumak,

Stratilat

et al. 2024

SPQEO

View full text Add to dashboard Cite

The emission spectra of InGaN/GaN white light emitting diodes (WLEDs) were measured. The main emission components were a LED blue line with λmax = 443 nm and a wide double band in the range of 500…650 nm of the secondary emission of AIT-YAG phosphor (Ce). The observed non-monotonic temperature dependence of the emission was attributed to the electric-field screening effect by mobile carriers as well as to thermal quenching due to the increased density of the phonon gas. The power conversion factor of phosphor emission increased in the temperature range of 200…290 K. The total energy losses for the Stokes shift were 82% and 77% for the first (blue) and the second band, respectively. The decrement of emission at high injection currents (over 20 mA) was attributed to ballistic transfer of carriers above the quantum wells and subsequent non-radiative recombination in the barrier layers. The existence of long-term relaxation processes in the white LEDs was assumed to be due to the accumulation of In atoms. Electron beam irradiation caused WLED efficiency degradation due to the introduction of deep traps in the quantum well region. The radiation resistance of the AIT-YAG phosphor was ~1.6 times higher than that of the InGaN part.

show abstract

A study of the effect of fast neutrons and electrons on white and blue LEDs

Cited by 3 publications

References 1 publication

Effect of neutron irradiation on characteristics of power ІnGaN/GaN light-emitting diodes

Effect of neutron irradiation on characteristics of power ІnGaN/GaN light-emitting diodes

Fast neutron irradiation effects on AlGaN deep ultraviolet light emitting diodes

Spectral features of pristine and irradiated white emitting InGaN LEDs with quantum wells

Contact Info

Product

Resources

About