A infuência de diferentes interfaces nas características elétricas e ópticas de Espelhos de Bragg de ALGaAsSB/ALAsSB dopados com Te, sobre InP.

Abstract

The electrical and optical properties of non-doped and Te doped 6.5 periods AlGaAsSb/AlAsSb Bragg mirrors on InP grown by MBE with different types of interfaces between ternary and quaternary layers are reported. The techniques employed were photoluminescence, reflectivity and IxV measurements. The digital alloy gradient interface seems to be the best alternative to optimize conduction without significant reflectivity losses. Key words: Semiconductor. Bragg mirror. AlGaAsSb. AlAsSb. ResumoSão apresentadas as propriedades elétricas e ópticas de espelhos de Bragg com 6.5 períodos de AlGaAsSb/ AlAsSb não dopado e dopados com Te, sobre InP, crescidos por MBE com diferentes tipos de interface entre as camadas de material ternário e quaternário. As técnicas empregadas foram fotoluminescência, reflectividade e medições de IxV. A interface com liga digital em gradiente parece ser a melhor alternativa para otimizar condução elétrica sem perdas significativas da refletividade. Palavras-chave: Semicondutor. Espelhos de Bragg. AlGaAsSb. AlAsSb.