Untitled

Perekrestov, V. I.; Kravchenko, S. N.

doi:10.1023/a:1016083909330

Cited by 32 publications

(12 citation statements)

References 1 publication

Supporting

Mentioning

Contrasting

Unclassified

Order By: Relevance

“…Два из них применялись для очистки рабочего газа (Ar) от химически активных газов с помощью распыления титана [16]. При этом проводился беспроточный напуск Ar, а после его очистки парциальное давление всех остаточных химически активных газов составляло величину 8 · 10 −8 Pa [16]. Третий магнетрон-ный распылитель изолировался от двух других системой экранов и использовался для получения конденсатов Zn.…”

Section: рисunclassified

Структурообразование Наносистем Цинка При Использовании Мембран АОА

Корнющенко¹,

Перекрестов²,

Наталич³

et al. 2017

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

Поступило в Редакцию 26 сентября 2016 г.Предложен способ получения наносистем Zn при конденсации слабопересы-щенных паров на систему мембрана анодно-окисленного алюминия (АОА) -подложка (Si). Для эффективного проникновения паров Zn в глубь пор АОА параллельно образующим пор формировался направленный паровой поток, при этом температура внешней поверхности мембраны была выше температуры подложки. Слабые паровые потоки получены при магнетронном распылении Zn в высокочистой инертной среде. Определены оптимальные условия формирова-ния наносистем Zn в виде массива упорядоченных островков на поверхности подложки и связанных нанонитей на поверхности мембраны. DOI: 10.21883/PJTF.2017.04.44303.16485 Упорядоченные массивы наноостровков металлов и полупроводни-ков привлекают значительный научный интерес благодаря перспек-тивам их использования в электронике, оптоэлектронике, сенсорах, ультратонких мониторах, устройствах хранения информации высокой плотности [1,2]. Различные наносистемы металлов обычно получают используя наношаблоны в виде мембран анодно-окисленного алюми-ния (АОА) [3][4][5], электронно-лучевую литографию [6-8] и процессы самоорганизации [9,10]. Важно подчеркнуть, что для реализации шаб-лонного метода с применением мембран АОА обычно используется электролитическое осаждение [4,5]. Необходимым условием реализации электролитического осаждения является достаточная для этого электро-проводность подложек. Следовательно, спектр применяемых при этом подложек имеет определенные ограничения.В отличие от электролитического осаждения для формирования упорядоченных массивов наноостровков Zn нами предложен более универсальный метод конденсации вещества вблизи термодинамиче-ского равновесия на систему мембрана АОА -подложка. При этом 94

show abstract

Section: рисunclassified

Структурообразование Наносистем Цинка При Использовании Мембран АОА

Корнющенко¹,

Перекрестов²,

Наталич³

et al. 2017

Письма В Журнал Технической Физики

View full text Add to dashboard Cite

show abstract

“…Тому використовувались непроточ-ний варіянт напуску арґону та його подальше очищення за допомо-гою додаткового розпорошення титану [30]. Слід також підкресли-ти, що очищення арґону в робочій камері не припинялося протягом всього експерименту, а парціяльний тиск залишкових хемічно ак-тивних газів складав величину  810 8 -10 7 Па [30]. Процеси зародження плівок досліджувалися на свіжих відколах KCl.…”

Section: методика експериментуunclassified

Effect of Decrease in a Threshold of Percolation in Ultrathin Films of Silver at Quasi-Equilibrium Condensation and Action of Plasma on a Growth Surface

Kosminska¹,

Perekrestov²,

Загайко³

2016

Metallofiz. Noveishie Tekhnol.

View full text Add to dashboard Cite

Вивчено закономірності структуроутворення надтонких плівок срібла на відколах KCl, а також на відколах KCl, покритих шаром полімеру PC403 або ma-N405. Виявлено ефект, еквівалентний зниженню порогу перколя-ції. Він є наслідком використання методики осадження, при якій на по-верхню підложжя безпосередньо діє низькотемпературна плазма та пари конденсуються за умов, близьких до термодинамічної рівноваги. На осно-ві досліджень за допомогою просвітлювальної електронної мікроскопії й електронної дифракції встановлено, що зародження плівки срібла відбу-вається у вигляді формування надтонкого аморфного шару, а при пода-льшому нарощуванні плівки стається поступовий перехід у полікристалі-чний стан або зародження та ріст незв'язаних один з одним об'ємних кри-сталів.Ключові слова: плівка срібла, перколяція, нуклеація, аморфна фаза, ма-гнетронне розпорошення, плазма.Изучены закономерности структурообразования сверхтонких плёнок се-ребра на сколах KCl, а также сколах KCl, покрытых полимером PC403 или ma-N405. Обнаружен эффект, эквивалентный снижению порога пер-коляции. Он является следствием использования методики осаждения, при которой на поверхность подложки непосредственно воздействует

show abstract

“…We purified argon using the technique in [12] and minimized the partial pressures of chemically active gases to 8 × 10 -8 Pa.…”

Section: Pore Formation Conditions and Experimental Techniquementioning

confidence: 99%

Selective processes that proceed during formation of aluminum layers near the phase equilibrium in a plasma-condensate system

2008

Self Cite

View full text Add to dashboard Cite

-The mechanisms of pore formation in aluminum condensates produced using a radically new technological approach that is based on self-organized sputtering systems are studied. The main technological parameters of pore formation are found to be determined by the closeness to the phase equilibrium in the plasma-condensate system and by the predominant contribution of structural or field selectivity to atom-byatom assembling of the condensate.

show abstract

Untitled

Cited by 32 publications

References 1 publication

Структурообразование Наносистем Цинка При Использовании Мембран АОА

Структурообразование Наносистем Цинка При Использовании Мембран АОА

Effect of Decrease in a Threshold of Percolation in Ultrathin Films of Silver at Quasi-Equilibrium Condensation and Action of Plasma on a Growth Surface

Selective processes that proceed during formation of aluminum layers near the phase equilibrium in a plasma-condensate system

Contact Info

Product

Resources

About