2020
DOI: 10.21883/ftp.2020.05.49258.9344
|View full text |Cite
|
Sign up to set email alerts
|

Abstract: Проведены экспериментальные исследования изотипных гетероструктур типа n^+-GaAs/n^0-GaAs/n^+-GaAs с широкозонным барьером N^0-AlGaAs толщиной 100 нм, расположенным в n^0-GaAs-области. Показано, что вольт-амперные характеристики исследуемых структур имеют область отрицательного дифференциального сопротивления, при этом переход в данную область происходит с задержкой по времени, которая может достигать десятков нс. Установлено, что работа в области отрицательного дифференциального сопротивления связана с включен… Show more

Help me understand this report

Search citation statements

Order By: Relevance

Paper Sections

Select...
2
1

Citation Types

0
3
0

Year Published

2020
2020
2020
2020

Publication Types

Select...
1

Relationship

0
1

Authors

Journals

citations
Cited by 1 publication
(3 citation statements)
references
References 8 publications
0
3
0
Order By: Relevance
“…Expressions (12) - (15) were obtained taking into account relations (4) - (7). The dash in expressions (6), (7), (10), (11), (14) and (15) denotes that the expression belongs to the description of the solution in the region of the separation barrier.…”
Section: A) B)mentioning
confidence: 99%
See 2 more Smart Citations
“…Expressions (12) - (15) were obtained taking into account relations (4) - (7). The dash in expressions (6), (7), (10), (11), (14) and (15) denotes that the expression belongs to the description of the solution in the region of the separation barrier.…”
Section: A) B)mentioning
confidence: 99%
“…The amplitude coefficients of the wave function in expressions (8) - (11) are determined by the relations: -for odd solutions in the region below the separation barrier.…”
Section: A) B)mentioning
confidence: 99%
See 1 more Smart Citation