The nature of emission of porous silicon produced by chemical etching

Фотолюминесценция И Спектры Комбинационного Рассеяния Наноструктурированного Пористого Кремния

“…4) видно, что образцы обладают устойчивой интенсивной фотолюминесценцией в области 700−900 нм с максимумами ~771−772 нм, что является характерной типичной особенностью фотолюминесценции нанокристаллических кремниевых структур [29], связанной с излучательной рекомбинацией в наноразмерных кристаллах смещению максимума фотолюминесценции в коротковолновую сторону. На нанокристаллическую структуру полученных нами образцов указывает и то, что, согласно квантовохимической модели [32][33][34], причиной фотолюминесценции в наночастицах кремния являются размерные ограничения, из-за которых усиливается перекрывание электронных и дырочных волновых функций и повышается скорость излучательных процессов релаксации Большая ширина полосы излучения предположительно обусловлена не механизмом излучательных процессов, а уширением спектральных линий из-за негомогенности материала и указанного выше разброса размеров и, возможно, формы наночастиц.…”

Influence of natural aging on photoluminescence from porous silicon

“…One of the earliest and commonly used PL models is the so called quantum dimensional model [6,7]. A model is also known where PL is related to Si-H bonds resulting from the formation of an amorphous layer on the surface of por Si nanocolumns and its subsequent hydration [8].…”

Photoluminescence Investigation of Inhomogeneous Porous P-type Si

“…Structural characteristics and luminescence of PS prepared by chemical etching were studied by Korsunskaya et al in [2]. The luminescence spectrum of this type of PS was the result of superposition of two PL bands.…”