Проведен обзор результатов теоретических и экспериментальных исследо-ваний по межзонному поглощению света полупроводниковыми сфериче-скими нанокристаллами. Показано, что учет поляризационного взаимодей-ствия электрона и дырки с поверхностью нанокристалла вызывает сдвиг порога поглощения в нанокристалле в коротковолновую сторону. Установ-лено, что край поглощения нанокристаллов формируется двумя сравнимы-ми по интенсивности переходами с разных уровней размерного квантования дырки на нижний уровень размерного квантования электрона.Виконано огляд результатів теоретичних та експериментальних дослі-джень з міжзонного вбирання світла напівпровідниковими сферичними нанокристалами. Показано, що врахування поляризаційної взаємодії електрона і дірки з поверхнею нанокристала спричиняє зсув порогу вби-рання в нанокристалі в короткохвильовий бік. Встановлено, що край вби-рання нанокристалів формується двома порівнянними за інтенсивністю переходами з ріжних рівнів розмірного квантування дірки на нижній рі-вень розмірного квантування електрона.The results of theoretical and experimental investigations of interband absorption of light in semiconductor spherical nanocrystals are analyzed. As shown, the absorption threshold in a nanocrystal is shifted to shorter wavelengths if the polarization-related interaction of electrons and holes with the nanocrystal surface is taken into account. As ascertained, the absorption edge for nanocrystals is formed by two transitions comparable in intensity. These transitions occur from different levels of size-related quantization for a hole to the lower level of size-related quantization for an electron.Ключевые слова: межзонное поглощение, квазинульмерные нанострук- Fiz. Met. 2007, т. 8, сс. 157-170 Îòòèñêè äîñòóïíû íåïîñðåäñòâåííî îò èçäàòåëÿ Ôîòîêîïèðîâàíèå ðàçðåøåíî òîëüêî â ñîîòâåòñòâèè ñ ëèöåíçèåé 2007 ÈÌÔ (Èíñòèòóò ìåòàëëîôèçèêè èì. Ã. Â. Êóðäþìîâà ÍÀÍ Óêðàèíû) Íàïå÷àòàíî â Óêðàèíå.