1979
DOI: 10.1002/chin.197901040
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Abstract: Die Kinetik der thermischen Oxidation eines Si‐Einkristalls bis zu einer Dicke von 200 Å SiO2 wird bei Tempp von 780, 893 und 980°C in trockenen O2‐ und H2O‐N2‐ Atmosphären mit einem automatischen Ellipsometer in situ verfolgt.

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