Московский институт электроники и математики НИУ ВШЭ, *ФГБНУ «Научно−исследовательский институт перспективных материалов и технологий» В настоящее время особую зна-чимость приобретают методы мониторинга, позволяющие из-мерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования -in situ методы. Применение этих ме-тодов способствует получению пленок с заданными характери-стиками, позволяя оперативно корректировать режимы техно-логического процесса. Рассмо-трены возможности метода in situ рентгеновской рефлектометрии для определения параметров наноразмерных пленок в процес-се их формирования.Приведены результаты экспериментов по магнетронному напылению на-норазмерных пленок кремния и других материалов на кремние-вые подложки.Ключевые слова: кремний, магнетронное напыление, рент-геновская рефлектометрия. ВведениеВ настоящее время производ-ство изделий оптики и микроэлек-троники требует формирования однослойных и многослойных компо-зиций различного функционального назначения на диэлектрических, полупроводниковых и металличе-ских подложках. Примерами таких структур могут служить оптические интерференционные покрытия, зер-кала мягкого рентгеновского диапа-зона, полупроводниковые сверхре-шетки. Особенностью современной электроники является использова-ние все более тонких слоев и пере-ход от микро− к наноразмерным пленкам. Применение таких по-крытий предъявляет повышенные требования к качеству поверхности подложки, состоянию границ раз-дела между слоями и однородности отдельных слоев. Состояние поверх-ности может быть экспериментально оценено различными физическими (оптическими и зондовыми) метода-ми, каждый из которых имеет свои достоинства и область применения. Особую значимость приобретают методы мониторинга, позволяющие измерять параметры пленочных структур непосредственно во время их формирования -in situ методы. Применение этих методов способ-ствует получению пленок с задан-ными характеристиками, позволяя оперативно корректировать режимы технологического процесса.В течение последних десятиле-тий были проведены многочислен-ные исследования роста и ионного травления тонких пленок с исполь-зованием различных методов. Одна-ко в большинстве из них изучаемый процесс прерывается, а исследова-ния образцов проводятся на воздухе. Очевидно, что такой подход обладает рядом недостатков.1. Окисление поверхности часто приводит к увеличению шерохова-тости по сравнению с той, которая образовалась непосредственно после напыления.2. Взаимодействие поверхности с воздухом приводит к изменению приповерхностного слоя, включая образование оксидного и адгезион-ного слоев.3. При исследовании серии об-разцов (например, пленок разной толщины, нанесенных на одинако-вые подложки) возможно появление артефактов.4. Исследования вне камеры по-сле завершения техпроцесса (ex situ) зачастую не позволяют аккуратно определить временную эволюцию параметров образца в зависимости от технологических параметров, на-пример от времени отжига.Ниже рассмотрены возмож-ности метода in situ рентгеновской рефлектометрии для определения наноразмерны...
scite is a Brooklyn-based organization that helps researchers better discover and understand research articles through Smart Citations–citations that display the context of the citation and describe whether the article provides supporting or contrasting evidence. scite is used by students and researchers from around the world and is funded in part by the National Science Foundation and the National Institute on Drug Abuse of the National Institutes of Health.
hi@scite.ai
10624 S. Eastern Ave., Ste. A-614
Henderson, NV 89052, USA
Copyright © 2024 scite LLC. All rights reserved.
Made with 💙 for researchers
Part of the Research Solutions Family.