The complex perovskite oxide Ba(Zn 1/3 Ta 2/3 )O 3 (BZT) has been studied for its attractive dielectric properties which make this material interesting for applications such as multilayer ceramics capacitors or hyperfrequency resonators. Nevertheless, BZT ceramic requires high temperature to be correctly sintered (@1450°C), that is too high to envisage a silver co-sintering (T f (Ag) = 961°C). For this reason, the lowering of the sintering temperature of BZT by glass phase's additions has been investigated. This material is sinterable at low temperature with combined glass phase -lithium salt additions, and exhibits, at 1MHz very low dielectric losses combined with relatively high dielectric constant and a good stability of this later versus temperature. The 5 wt% of ZnO-SiO 2 -B 2 O 3 glass phase and 1 wt% of LiF added BZT sample sintered at 900°C exhibits a relative density higher than 95% and attractive dielectric properties: a dielectric constant ε r of 32, low dielectrics losses (tan (δ)< 10 -3 ) and a temperature coefficient of permittivity τ ε of -10ppm/°C. Their good dielectric properties and their compatibility with silver electrodes, make these ceramics suitable for L.T.C.C applications. Se ha estudiado el óxido complejo con estructura tipo perovskita Ba (Zn 1/3 Ta 2/3 ) O 3 (BZT). Sus atractivas propiedades dieléctricas le hacen muy interesante para aplicaciones como condensadores cerámicos multicapa o resonadores de microondas. No obstante, los cerámicos de BZT requieren temperaturas de sinterización superiores a 1450 ° C, que es muy alta para abordar un proceso de co-sinterización con electrodos de plata (T f (Ag) = 961 ° C). Para ello, se ha estudiado la bajada de la temperatura de sinterización del BZT mediante la adición de una fase vítrea. La suma combinada de la fase vítrea y la sal de litio lleva la sinterización de este material a temperaturas bajas. Las propiedades dieléctricas presentan pérdidas muy bajas, constante dieléctrica relativamente alta a 1MHz y buena estabilidad frente a la temperatura. La adición del 5% en peso de una fase vítrea de ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 y el 1% en peso de LiF disminuye la temperatura de sinterización del BZT hasta 900° C presentando una densidad relativamente alta (> 95%) y las propiedades dieléctricas de interés: la constante dieléctrica de 32, bajas pérdidas dieléctricas (tan (δ) <10 -3 ) y un coeficiente de temperatura de la permitividad τ ε de -10ppm / ° C. Las propiedades dieléctricas obtenidas y la compatibilidad con los electrodos de plata hacen esta cerámica adecuada para su aplicación como LTTC.Palabras clave: Cerámica, vidrio , sinterización, Ba (Zn 1/3 Ta 2/3 )O 3 , propiedades dieléctricas, temperatura de sinterización baja.
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